Leistungs-Thyristormodul MTK600-10 (600A 1000V), MTK600-10-408F3
| Mittlerer Durchlassstrom, ITAV/IFAV (Tcase) | 600A (85ºC) |
| Spannung, VRRM/VDRM | 1000V |
| Spannungscode, VRRM / 100 | 10 |
| MTK600-10 | on request |
| Gewicht | 2300 g |
| Gehäuse Abmessungen L×B×H |
408F3 135x76x62 |
| Datenblatt |
Duales Thyristor-SCR-Modul MTK 600-10 AS ENERGITM in einem international standardisierten Gehäuse, 600A 1000V.
Die Thyristormodule MTK600-10-408F3 zeichnen sich durch hohe elektrische und thermische Zyklusstabilität aus, was eine hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer bei anspruchsvollen Betriebsarten gewährleistet. Die Thyristormodule sind in einem industriefähigen Gehäuse untergebracht, was die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Die Zweipositionen-Module haben unterschiedliche Schaltkreise (elektrische Schaltpläne): МТC – Halbbrücke; МТK – Schaltung mit gemeinsamer Kathode; МТA – Schaltung mit gemeinsamer Anode.
Serien (Nennwerte) von Thyristormodulen: MTK600-10 (600A 1000V).
Die Hauptanschlüsse (Leistungsanschlüsse) befinden sich oben auf dem Gehäuse und sind als 1, 2, 3 gekennzeichnet (gemeinsame Kathode-Kathode, Anode, Anode). Die Steueranschlüsse sind mit K1, G1, K2, G2 gekennzeichnet.
Die Dual-Thyristormodule der MTK-Serie werden in verschiedensten Leistungsanlagen eingesetzt – Leistungs- und Steuereinheiten, Leistungsregler, Wechselstromregler, Gleichstrommotorsteuerungen, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochofen- oder Chemieprozessen, Schweißgeräte sowie als Gleichrichter für AC-Konverter.
Unsere Module werden in mehreren Dual- und Einzelgerät-Topologien für nahezu alle Phasensteuer- oder Gleichrichterapplikationen angeboten.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Thyristor-/Diodenmodule von 2 Jahren ab Kaufdatum. Beim Lieferumfang von Thyristor-/Diodenmodulen stellen wir bei Bedarf technischen Pass und Konformitätszertifikat zur Verfügung.
Der endgültige Preis für Thyristor-/Diodenmodule hängt von Klasse, Menge, Lieferbedingungen, Hersteller, Herkunftsland und Zahlungsweise ab.
Allgemeine Spezifikationen des Thyristor‑Thyristor‑Moduls MTK600-10, MTK600-10-408F3:
| Spezifikationen des Thyristormoduls | MTK600-10 | |
| Maximal zulässiger mittlerer Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | ITAV/IFAV (Tcase) | 600 A (85ºC) |
| Wiederholte gepulste Sperrspannung; Wiederholte gepulste Durchlassspannung | VRRM/VDRM | 1000 V |
| Stoß-Durchlassstrom | ITSM/IFSM | 16 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 1280 kA2·s |
| Schwellenspannung | VT(TO) | 0.80 V |
| Kritische Anstiegsrate der Sperrspannung | dv/dt | 800 V/µs |
| Kritische Anstiegsrate des Durchlassstroms | di/dt | 100 A/µs |
| Wiederholter Pulsstrom im Sperrzustand; Wiederholter Puls-Rückstrom | IDRM/IRRM | 45 mA |
| Gatterzündstrom (DC) | IGT | 200 mA |
| Gatterzündspannung (DC) | VGT | 3.0 V |
| Haltestrom | IH | 200 mA |
| Öffnungspulsspannung | VTM | 1.45 V |
| Öffnungspulsstrom | ITM | 1800 A |
| Durchlass-Widerstands-Steigung | rT | 0.28 mΩ |
| Sperrschichttemperatur (Junction) | Tvj max | 125 ºC |
| Thermischer Widerstand, Anschluss–Gehäuse | Rth(j-c) | 0.054 ºC/W |
| Aufbau (Schalter) | - | Dual-Bauelement |
| Typ (Schaltplan) | - | Thyristor‑Thyristor |
| Gewicht | W | 2300 g |
| Gehäuse (Package) | type | 408F3 |
| Abmessungen, mm | L×B×H | 135x76x62 mm |
| Datenblatt | ||
Leitfaden zur Teilenummer für Thyristor–Thyristor-Module MTK:
| MT | K | 600 | – | 10 | – | 408F3 |
| MT | – | Thyristormodul, |
| K | – | Schaltungs-Topologie: gemeinsame Kathode-Kathode. |
| 600 | – | Nennstrom (ITAV), A. |
| 10 | – | Spannungsklasse (VRRM/100). |
| 408F3 | – | Gehäuse‑(Package)‑Typ. |
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AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:

Ukraine (UA)
Deutschland (DE)
Italien (IT)
Indien (EN)
Türkei (TR)
Frankreich (FR)
Japan (JP)
Südkorea (KR)
































