Power Thyristor Module MTK1000-12 (1000A 1200V)
| Average forward current, ITAV/IFAV (Tcase) | 1000A (85ºC) |
| Voltage, VRRM/VDRM | 1200V |
| Voltage code, VRRM / 100 | 12 |
| MTK1000-12 | on request |
| Weight | 3800 g |
| Dimensions L×B×H | 150x77x83 |
| Datasheet |
Dual thyristor SCR module MTK 1000-12 AS ENERGITM in an international standard package, 1000A 1200V.
The thyristor modules are characterized by high electrical and thermal cycling capability, meaning high reliability and long lifetime in intensive operation modes. The thyristor modules are housed in a industry-standard housing making it easy to integrate the device into existing equipment.
The two-position modules have different switching circuits (electrical circuit diagrams): МТC – half-bridge; МТK – scheme with common cathode; МТA – scheme with common anode.
The main (power) terminals are on the top of the case and are marked as 1, 2, 3 (common cathode-cathode, anode, anode). The control terminals are marked as K1, G1, K2, G2.
Dual thyristor modules MTK series are used in various power equipment - power and control units, power regulators, AC regulators, DC motors control, AC motor soft starters, converters, controllers of blast furnaces or chemical processes, welding equipment, and as rectifiers for AC converters.
Our modules are offered in several dual and single device topologies for almost all phase control or rectifier applications.
Our company provides a quality guarantee for thyristor / diode modules of 2 years from the date of purchase. When supplying thyristor / diode modules, if necessary, we provide technical passport and certificate of conformity.
The final price for thyristor / diode modules depends on the class, quantity, delivery terms, manufacturer, country of origin and form of payment.
General specifications of thyristor-thyristor module MTK1000-12:
| Thyristor module specifications | MTK1000-12 | |
| Maximum allowable average forward current (Case temperature) | ITAV/IFAV (Tcase) | 1000 A (85ºC) |
| Repetitive pulsed reverse voltage; Repetitive pulsed closed state voltage | VRRM/VDRM | 1200 V |
| Surge on-state current | ITSM/IFSM | 28 A |
| Safety factor | I2t | 3920 kA2·s |
| Threshold voltage | VT(TO) | 0.80 V |
| Critical rate of rise of off-state voltage | dv/dt | 800 V/µs |
| Critical rate of rise of on-state current | di/dt | 100 A/µs |
| Repetitive pulse current when closed; repetitive pulse return current | IDRM/IRRM | 55 mA |
| Gate trigger DC current | IGT | 200 mA |
| Gate trigger direct DC voltage | VGT | 3.0 V |
| Holding current | IH | 200 mA |
| Open pulse voltage | VTM | 1.96 V |
| Open pulse current | ITM | 3000 A |
| On-state slope resistance | rT | 0.15 mΩ |
| Junction temperature | Tvj max | 125 ºC |
| Thermal resistance, junction to case | Rth(j-c) | 0.034 ºC/W |
| Design (switches) | - | dual component |
| Type (circuit diagram) | - | thyristor-thyristor |
| Weight | W | 3800 g |
| Dimensions, mm | L×B×H | 150x77x83 |
| Datasheet | ||
Part numbering guide for thyristor–thyristor modules MTK:
| MT | K | 1000 | – | 12 |
| MT | – | Thyristor module, |
| K | – | Circuit topology: common cathode-cathode. |
| 1000 | – | Rated current (ITAV), A. |
| 12 | – | Voltage class (VRRM/100). |
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