MDO600-16N1 Einzeln Diode Modul (608A 1600V) IXYS Ersatz

IXYS Teil Nummer MDO600-16N1
Durchschnittlicher Durchlassstrom, IF(AV) (TC) 608A (85ºC)
Spannung, VRRM 1600V
Paket
Abmessungen L×B×H
Y1-2-CU
92x50x52 mm
Datenblatt Datenblatt
Ersatz AS ENERGITM ASMDO600-16-N1
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Einzeln Diode Modul ASMDO600-16-N1 AS ENERGITM ist ein Ersatz, analog, alternativ und gleichwertig für Diodenmodul MDO600-16N1 IXYS, auch bekannt als Littelfuse oder Westcode.

Durchschnittlicher Durchlassstrom IFAV608 ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM1600V. Die interne Schaltung des Moduls MDO600-16N1 besteht aus einer einzigen Diode.

Die Diodenmodule zeichnen sich durch eine hohe elektrische und thermische Wechselfähigkeit aus, was eine hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer in intensiven Betriebsmodi sowie einen geringen Leckstrom und Vorwärtsspannungsabfall bedeutet. Die Diodenmodule sind in einem Industriestandard-Gehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.

Einzeln Diode Modul werden in verschiedenen Leistungsgeräten eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, für ein- und dreiphasige Brückenkonfigurationen, Leistungsregler, Wechselstromregler, Steuerung von Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochöfen oder chemischen Prozessen, Schweißgeräte und als Gleichrichter für Wechselstromumrichter.

Unsere Module werden in verschiedenen Dual- und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.

Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Einzeln Diode Modul von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Einzeln Diode Modul stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung aus.

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Der Endpreis für Einzeln Diode Modul hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.

Allgemeine Spezifikationen des Einzeln Diode Modul MDO600-16N1 IXYS und Ersatz:

Spezifikationen des Diodenmoduls MDO600-16N1
Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) IFAV (Tcase) 608 A (85ºC)
Wiederholte gepulste Sperrspannung VRRM 1600 V
Stromstöße IFSM 15000 A
Maximaler RMS-Einschaltstrom IF(RMS) -
Sicherheitsfaktor I2t 1130 kA2·s
Schwellwertspannung VT(TO) 0.72 V
RMS-Strom IRMS 600 A
Steigungswiderstand rT 0.32 mΩ
Temperatur an der Verbindungsstelle Tvj max 140 ºC
Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse Rth(JC) 0.072 K/W
Wärmewiderstand Gehäuse zu Kühlkörper Rth(CH) 0.024 K/W
Design (Schalter) - einzeln component
Typ (Schaltplan) - einzelne Diode
Gewicht W 650 g
Paket
Abmessungen, mm
L×B×H Y1-2-CU
92x50x52 mm
Anzugsmoment MD 4.5-7 Nm
Ersatz AS ENERGITM Typ ASMDO600-16-N1
Datenblatt PDF Datenblatt

Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für das Einzeln Diode Modul ASMDO600-16-N1:

AS M DO 600 16 N1
AS brand AS ENERGITM
M Produktgruppe: Diskretes Halbleitermodul.
DO Schaltungstopologie: einzelne Diode.
600 Durchschnittlicher Nennstrom IFAV, A.
16 Voltage code x 100 = VRRM.
N1 Version Teilenummer.

Abmessungen des Einzeln Diode Modul MDO600-16N1 und Ersatz ASMDO600-16-N1:

MDO600-16N1 Abmessungen

Y1-2-CU


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