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Pavlo GorkunMDD275-30N3 Doppelter Diode Modul (245A 3000V) IXYS Ersatz
| IXYS Teil Nummer | MDD275-30N3 |
| Durchschnittlicher Durchlassstrom, IF(AV) (TC) | 245A (100ºC) |
| Spannung, VRRM | 3000V |
| Paket Abmessungen L×B×H |
W102 115x50x52 mm |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | ASMDD275-30-N3 |
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Doppelter Diode Modul ASMDD275-30-N3 AS ENERGITM ist ein Ersatz, analog, alternativ und gleichwertig für Diodenmodul MDD275-30N3 IXYS, auch bekannt als Littelfuse oder Westcode.
Durchschnittlicher Durchlassstrom IFAV – 245 ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM – 3000V. Das Zwei-Positionen-Dioden-Modul MDD275-30N3 haben einen Halbbrücken-Schaltkreis (gemeinsame Anode-Kathode).
Die Diodenmodule zeichnen sich durch eine hohe elektrische und thermische Wechselfähigkeit aus, was eine hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer in intensiven Betriebsmodi sowie einen geringen Leckstrom und Vorwärtsspannungsabfall bedeutet. Die Diodenmodule sind in einem Industriestandard-Gehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Doppelter Diode Modul werden in verschiedenen Leistungsgeräten eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, für ein- und dreiphasige Brückenkonfigurationen, Leistungsregler, Wechselstromregler, Steuerung von Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochöfen oder chemischen Prozessen, Schweißgeräte und als Gleichrichter für Wechselstromumrichter.
Unsere Module werden in verschiedenen Dual- und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Doppelter Diode Modul von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Doppelter Diode Modul stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung aus.
Der Endpreis für Doppelter Diode Modul hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des Doppelter Diode Modul MDD275-30N3 IXYS und Ersatz:
| Spezifikationen des Diodenmoduls | MDD275-30N3 | |
| Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | IFAV (Tcase) | 245 A (100ºC) |
| Wiederholte gepulste Sperrspannung | VRRM | 3000 V |
| Stromstöße | IFSM | 4500 A |
| Maximaler RMS-Einschaltstrom | IF(RMS) | 580 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 101 kA2·s |
| Schwellwertspannung | VT(TO) | 0.90 V |
| RMS-Strom | IRMS | - |
| Steigungswiderstand | rT | 1.57 mΩ |
| Temperatur an der Verbindungsstelle | Tvj max | 150 ºC |
| Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(JC) | 0.11 K/W |
| Wärmewiderstand Gehäuse zu Kühlkörper | Rth(CH) | 0.04 K/W |
| Design (Schalter) | - | doppelt component |
| Typ (Schaltplan) | - | Diode-Diode |
| Gewicht | W | 800 g |
| Paket Abmessungen, mm |
L×B×H | W102 115x50x52 mm |
| Anzugsmoment | MD | 6 Nm |
| Ersatz AS ENERGITM | Typ | ASMDD275-30-N3 |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für das Doppelter Diode Modul ASMDD275-30-N3:
| AS | M | DD | 275 | – | 30 | – | N3 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Produktgruppe: Diskretes Halbleitermodul. |
| DD | – | Schaltungstopologie: zwei Halbbrückendioden (Anode-Kathode). |
| 275 | – | Durchschnittlicher Nennstrom IFAV, A. |
| 30 | – | Voltage code x 100 = VRRM. |
| N3 | – | Version Teilenummer. |
Abmessungen des Doppelter Diode Modul MDD275-30N3 und Ersatz ASMDD275-30-N3:
W102
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Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
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Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
