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Pavlo GorkunIGBT-Modul SKM200GAL125D (150A 1200V) Semikron Ersatz
| Semikron Teilenummer | SKM200GAL125D |
| Nennstrom des Kollektors, ICnom | 150А |
| Kollektor-Emitter-Spannung, VCES | 1200V |
| Paket, Abmessungen L×B×H | Paket 3 106x62x31 |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | AMM200GAL125D |
| Zum Warenkorb hinzufügen | on request
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IGBT-Modul AMM200GAL125D AS ENERGITM ist ein Ersatz, analog, alternativ und gleichwertig für das IGBT Modul SKM200GAL125D SEMIKRON (SEMITRANS Gehäuse). Nominaler Kollektorstrom ICnom – 150 ampere, Dauer-Kollektorstrom IC – 200 ampere, Kollektor-Emitter-Spannung VCES – 1200V. Schalter - Einzelner Schalter.
Die IGBT-Module sind in einem Standard-Industriegehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für Motoren, Wechselrichterantrieben, USV, elektronischen Schweißgeräten, Bremschoppern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und anderen eingesetzt. Zu den verfügbaren Topologien gehören Halbbrücke, Einzelschalter, Sixpack, 3-Level und viele andere, die jeden Anwendungsbereich abdecken.
Das IGBT-Leistungsmodul wird immer mehr zum bevorzugten Bauelement für Hochleistungsanwendungen, da es die Schaltleistung, die Temperatur, das Gewicht und die Kosten verbessern kann.
Die technischen Daten der IGBT-Module SKM200GAL125D und AMM200GAL125D, das pdf-Datenblatt, die Topologie der internen Verbindung, die Umrisszeichnung und die Abmessungen sind unten aufgeführt.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für IGBT-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von IGBT-Modulen stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung zur Verfügung.
Der Endpreis von IGBT-Modulen hängt von der Spannungsklasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des IGBT-Moduls SKM200GAL125D Semikron und Ersatz:
| Spezifikationen für IGBT-Module | SKM200GAL125D | |
| IGBT | ||
| Nennstrom des Kollektors | ICnom | 150 A |
| Kollektor-Dauerstrom (Gehäusetemperatur) | IC | 200 A (25ºC) |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 1200 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 3.30 V |
| Energiedissipation beim Einschalten | Eon | 14 mJ |
| Energiedissipation beim Ausschalten | Eoff | 8 mJ |
| Diode | ||
| Kontinuierlicher DC-Vorwärtsstrom (Gehäusetemperatur) | IF | 200 A (25ºC) |
| Durchlassspannung (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.06 V |
| Energiedissipation bei der Rückwärtserholung (Diode) | Err | 8 mJ |
| Modul | ||
| Schaltungstopologie | - | |
| Schalter | - | Einzelner Schalter |
| Gewicht | W | 0.325 kg |
| Zeichnung, Paket, Abmessungen, mm | L×B×H | Package 3 106x62x31 |
| Ersatz AS ENERGITM | typ | AMM200GAL125D |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für IGBT-Module:
| A | M | M | 200 | GAL | 12 | 5D |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Produktgruppe: Modul. |
| M | – | Halbleiter-Typ: IGBT-Modul. |
| 200 | – | Nennstrom des Kollektors ICnom, Amp. |
| GAL | – | Topologie der internen Verbindung. |
| 12 | – | Kollektor-Emitter-Spannungsklasse VCES / 100. |
| 5D | – | Merkmale, z. B. IGBT-Chip-Charakteristik, interne Referenznummer. |
Abmessungen des IGBT-Moduls SKM200GAL125D und Ersatz AMM200GAL125D:
Package 3
Schaltplan eines IGBT-Moduls SKM200GAL125D und Ersatz AMM200GAL125D:
Topologie GAL
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Ausgewählte Produkte:
