IGBT-Modul SKM100GB12T4G (100A 1200V) Semikron Ersatz
Semikron Teilenummer | SKM100GB12T4G |
Nennstrom des Kollektors, ICnom | 100А |
Kollektor-Emitter-Spannung, VCES | 1200V |
Paket, Abmessungen L×B×H | Paket 3 106x62x31 |
Datenblatt | |
Ersatz AS ENERGITM | AMM100GB12T4G |
Zum Warenkorb hinzufügen | on request |
IGBT-Modul AMM100GB12T4G AS ENERGITM ist ein Ersatz, analog, alternativ und gleichwertig für das IGBT Modul SKM100GB12T4G SEMIKRON (SEMITRANS Gehäuse). Nominaler Kollektorstrom ICnom – 100 ampere, Dauer-Kollektorstrom IC – 154 ampere, Kollektor-Emitter-Spannung VCES – 1200V. Schalter - Eine halbe Brücke.
Die IGBT-Module sind in einem Standard-Industriegehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für Motoren, Wechselrichterantrieben, USV, elektronischen Schweißgeräten, Bremschoppern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und anderen eingesetzt. Zu den verfügbaren Topologien gehören Halbbrücke, Einzelschalter, Sixpack, 3-Level und viele andere, die jeden Anwendungsbereich abdecken.
Das IGBT-Leistungsmodul wird immer mehr zum bevorzugten Bauelement für Hochleistungsanwendungen, da es die Schaltleistung, die Temperatur, das Gewicht und die Kosten verbessern kann.
Die technischen Daten der IGBT-Module SKM100GB12T4G und AMM100GB12T4G, das pdf-Datenblatt, die Topologie der internen Verbindung, die Umrisszeichnung und die Abmessungen sind unten aufgeführt.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für IGBT-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von IGBT-Modulen stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung zur Verfügung.
Der Endpreis von IGBT-Modulen hängt von der Spannungsklasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des IGBT-Moduls SKM100GB12T4G Semikron und Ersatz:
Spezifikationen für IGBT-Module | SKM100GB12T4G | |
IGBT | ||
Nennstrom des Kollektors | ICnom | 100 A |
Kollektor-Dauerstrom (Gehäusetemperatur) | IC | 154 A (25ºC) |
Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 1200 V |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 1.90 V |
Energiedissipation beim Einschalten | Eon | 16.1 mJ |
Energiedissipation beim Ausschalten | Eoff | 8.6 mJ |
Diode | ||
Kontinuierlicher DC-Vorwärtsstrom (Gehäusetemperatur) | IF | 118 A (25ºC) |
Durchlassspannung (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.22 V |
Energiedissipation bei der Rückwärtserholung (Diode) | Err | 6 mJ |
Modul | ||
Schaltungstopologie | - | |
Schalter | - | Eine halbe Brücke |
Gewicht | W | 0.325 kg |
Zeichnung, Paket, Abmessungen, mm | L×B×H | Package 3 106x62x31 |
Ersatz AS ENERGITM | typ | AMM100GB12T4G |
Datenblatt |
Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für IGBT-Module:
A | M | M | 100 | GB | 12 | T4G |
A | – | AS ENERGITM |
M | – | Produktgruppe: Modul. |
M | – | Halbleiter-Typ: IGBT-Modul. |
100 | – | Nennstrom des Kollektors ICnom, Amp. |
GB | – | Topologie der internen Verbindung. |
12 | – | Kollektor-Emitter-Spannungsklasse VCES / 100. |
T4G | – | Merkmale, z. B. IGBT-Chip-Charakteristik, interne Referenznummer. |
Hochleistungshalbleiter von AS ENERGI
Das Unternehmen stellt eine breite Palette von Leistungshalbleitern (Thyristoren, Dioden, Module) her.
Sie können bei uns Thyristormodule in beliebigen Mengen kaufen, und wenn Sie große Mengen bestellen, wird der Preis niedriger sein.
Wir haben das Vertrauen unserer Kunden gewonnen und liefern unsere Produkte in die ganze Welt.
Bei Fragen zum Erwerb von SCR-Thyristoren, Dioden, Modulen senden Sie eine E-Mail-Anfrage an:
Und wir unterbreiten Ihnen ein kommerzielles Angebot für die Lieferung.
Bei großen Stückzahlen erstellen wir einen individuellen Preis!!!
Wir sind offen für die Herstellung von Produkten in unseren Produktionsstätten nach Ihren Wünschen und technischen Aufgabenstellungen.
Warum Sie sich für AS ENERGITM
- Eigene Produktionsanlagen, einschließlich der Produktion von Halbleitersiliziumchips
- Europäische Marke - 100% Qualität, günstiger Preis, kurze Produktionsfristen
- Über 20 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie
- Kunden aus mehr als 50 Ländern vertrauen uns
- 20000 Artikel in der Produktlinie Ströme von 10A bis 15000A, Spannungen von 100V bis 9000V
- Wir produzieren Analogen von Produkten anderer Hersteller
- Garantierte zertifizierte Qualität, Garantiezeit des Betriebs - 2 Jahre
Qualitätsgarantie
Unsere Produkte sind zertifiziert und entsprechen internationalen Standards.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Produkte von 2 Jahren.
Auf Wunsch des Kunden stellen wir Konformitätsbescheinigungen, Zuverlässigkeits berichte, Datenblätter und technische Pässe zur Verfügung.
Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
Wir liefern unsere Produkte in die ganze Welt mit den Diensten von Logistikunternehmen: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte: