Schnell Schaltender Thyristor 250 A, TFI833-250 (3000V)
Durchschnittlicher Durchlassstrom, ITAV | 250A |
Spannung, VDRM/VRRM | 3000V |
Spannungscode, VRRM / 100 | 30 |
TFI833-250 | on request |
Paket Abmessungen ØD×Ød×H |
PT32 54x32x20 mm |
Gewicht | 180 g |
Datenblatt |
Schnell Schaltender Thyristor TFI833-250 AS ENERGITM in Scheibenbauweise ist ein schnell schaltendes (Impuls-)Halbleiterbauelement in Presspackbauweise. Dieser schnelle Impulsleistungsthyristor ist für die Umwandlung und Steuerung von Gleich- und Wechselströmen bis zu 250A mit einer Frequenz von bis zu 10kHz in Schaltkreisen mit Spannungen bis zu 3000V (Spannungsklasse 30). Abmessungen des Thyristors ØDxØdxH - 54x32x20 mm (Gehäuseaußendurchmesser X Kontaktflächendurchmesser X Gehäusehöhe), Gewicht – 180 g.
Schnell schaltende Thyristoren sind Geräte mit reduzierter tq, trr, Qrr Werte und mit einem höheren Wert (diT/dt)cr (bis zu 2500 A/µs) für den Betrieb bei höheren Frequenzen (bis zu 10kHz) ausgelegt. Schnelle Thyristoren zeichnen sich durch eine sehr geringe Ausschaltzeit aus, die sie von den Standardmodellen unterscheidet. Sie werden in den Bereichen Schweißen, Induktionserwärmung und -schmelzen, elektrischer Transport, Wechselstromantriebe, USV und anderen Systemen eingesetzt, die kurze Ein- und Ausschaltzeiten erfordern. Die Thyristoren verfügen über ein keramisch abgedichtetes Gehäuse nach Industriestandard, das den Funktionsteil und das Halbleiterelement von mechanischen Stößen und der Umgebung isoliert.
Die Anode und die Kathode des Thyristors (Polarität) werden durch das Symbol auf dem Gehäuse bestimmt. Schnell schaltende Thyristoren befinden sich in einem Presspack-Scheibengehäuse (Kapsel, Tablette). Dieser schnelle Thyristor kann ein alternatives Produkt, Ersatz, analog, gleichwertig für andere Arten von schnell schaltenden Thyristoren 220A, 230A, 240A, 250 Ampere in einem Scheibengehäuse sein.
Zur Kühlung während des Betriebs von Leistungsthyristoren werden diese mit Kühlern (Kühlkörpern) ausgestattet. Je nach der erzeugten Wärmemenge und den Arbeitsbedingungen der Halbleiter werden entweder natürlich Luftstromkühlung oder gezwungen Kühlung kann verwendet werden.
Bei der Montage ist die erforderliche Spannkraft Fm die für jeden Thyristortyp spezifisch sind (in der Parametertabelle angegeben), müssen angegeben werden.
Spezifikationen und Parameter, Datenblätter (PDF), Muster des technischen Passes, Abmessungen, Umrisszeichnungen, Gehäusediagramme Thyristoren, empfohlene Kühler sind unten aufgeführt.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für schnelle Thyristoren von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Impulsthyristoren stellen wir, falls erforderlich, einen technischen Pass, eine Konformitätsbescheinigung.
Schnell schaltende Thyristorleistungen: TFI833-250-30 (250A 3000V),
Der Endpreis für schnelle Thyristoren hängt von der Spannungsklasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen für schnell schaltende Thyristoren TFI833-250:
Spezifikationen für schnell schaltende Thyristoren | TFI833-250 | |
Dauergrenzstrom (Temperatur des Gehäuses) | IT(AV) (Tcase) | 250A (94°C) 430A (55°C) |
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung | VDRM/VRRM | 3000 V |
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert | ITRMS | 390 A |
Stoßstrom-Grenzwert | ITSM | 5.7 kA |
Grenzlastintegral | I2t | 162 kA2·s |
Durchlaßspannung, max | VTM | 3.0 V |
Spitzenstrom im Ein-Zustand | ITM | 785 A |
Schleusenspannung, max | VT(TO) | 1.70 V |
Ersatzwiderstand, max | rT | 2.20 mΩ |
Freiwerdezeit, max | tq | 50-125 µs |
Wiederholte Spitzenausgangsströme und wiederholte Spitzenrückströme, max | IDRM/IRRM | 70 mA |
Kritische Spannungssteilheit, min | (dVD/dt)cr | 1000 V/µs |
Zündspannung, max | VGT | 2.5 V |
Zündstrom, max | IGT | 300 mA |
Kritische Stromsteilheit | (diT/dt)cr | 1000 A/µs |
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur, max | Tvj max | 125 ºC |
Innerer Wärmewiderstand, max | Rth(j-c) | 0.040 ºC/W |
Einspannkraft | Fm ±10% | 10 kN |
Gewicht, ca. | W | 180 g |
Verpackungsart, Abmessungen | ØDxØdxH | PT32 (T.B3) 54x32x20 mm |
Empfohlene Kühlkörper | Wärmesenken | O143, O243, O343, OM103, OM104 |
Datenblatt |
Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für Schnell Schaltende Thyristoren TFI833-250:
TFI | 833 | – | 250 | – | 30 | – | 7 | 7 | 2 |
TFI | – | AS ENERGITM Schnell Schaltender Thyristor (Schneller Impuls-Thyristor) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
833 | – | Thyristor-Typ (Scheiben-Typ). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
250 | – | Durchschnittlicher Strom im offenen Zustand IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
30 | – | Spannungsklasse VRRM / 100 (Nominal voltage – 3000 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
7 | – | Parameter für die kritische Anstiegsrate der Spannung im Aus-Zustand (dVD/dt)cr:
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7 | – | Parameter der Ausschaltzeit tq:
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2 | – | Parameter der Einschaltzeit tgt:
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Datenblatt Schnell schaltender Thyristor TFI833-250:
Download pdf Datenblatt für Thyristoren TFI833-250
Hochleistungs-Halbleiter AS ENERGITM
Unsere Firma beschäftigt sich mit der Herstellung und dem Verkauf einer breiten Palette von Leistungshalbleitern (Leistungsthyristoren, Module, Gleichrichterdioden, Rotor- und Schweißdioden, Triacs usw.) mit Strömen bis zu 15000A und Spannungen bis zu 9000V, sowie Luft- und Wasserkühlkörpern dazu. Sie können Halbleiter in beliebigen Mengen kaufen, und wenn Sie große Mengen bestellen, wird der Preis niedriger sein.
Wir haben das Vertrauen unserer Kunden gewonnen und liefern unsere Produkte in die ganze Welt.
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Wir sind offen für die Herstellung von Produkten in unseren Produktionsstätten nach Ihren Wünschen und technischen Aufgabenstellungen.
Kühlkörper für schnelle Scheibenleistungsthyristoren:
Kühlkörper (Radiatoren) werden für die ein- und doppelseitige Kühlung von Leistungshalbleiterbauelementen in Scheibenbauweise verwendet.
Die Kühlkörper der Kühler werden aus Aluminium-Kühlerprofilen hergestellt und benötigen keine zusätzliche Schutzschicht, wenn sie unter verschiedenen klimatischen Bedingungen eingesetzt werden..
Siehe für weitere Informationen über Kühlkörper: "Luftgekühlte Kühlkörper Serie O für Disc-Geräte", "Luftkühlkörper Serie SF", "Wasserkühlkörper Serie SS".
Foto des Schnell Schaltenden Thyristors SCR:
Warum Sie sich für AS ENERGITM
- Eigene Produktionsanlagen, einschließlich der Produktion von Halbleitersiliziumchips
- Europäische Marke - 100% Qualität, günstiger Preis, kurze Produktionsfristen
- Über 20 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie
- Kunden aus mehr als 50 Ländern vertrauen uns
- 20000 Artikel in der Produktlinie Ströme von 10A bis 15000A, Spannungen von 100V bis 9000V
- Wir produzieren Analogen von Produkten anderer Hersteller
- Garantierte zertifizierte Qualität, Garantiezeit des Betriebs - 2 Jahre
Qualitätsgarantie
Unsere Produkte sind zertifiziert und entsprechen internationalen Standards.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Produkte von 2 Jahren.
Auf Wunsch des Kunden stellen wir Konformitätsbescheinigungen, Zuverlässigkeits berichte, Datenblätter und technische Pässe zur Verfügung.
Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
Wir liefern unsere Produkte in die ganze Welt mit den Diensten von Logistikunternehmen: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte: