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Pavlo GorkunThyristor-Modul MT5-1000-12-D
| Durchschnittlicher Durchlassstrom, ITAV/IFAV | 1000A |
| Spannung, VRRM/VDRM | 1000 – 1200V |
| Spannungscode, VRRM / 100 | 10 – 12 |
| MT5-1000-12-D | on request
+
–
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| Gewicht | 4.1 kg |
| Paket, Abmessungen LxBxH |
D 150x77x84 |
| Datenblatt |  |
Leistungs-Thyristor-Modul MT5-1000-12-D AS ENERGITM in einer internationalen Standardverpackung, 1000A 1200V.
Dient der Umwandlung von Gleich- und Wechselströmen bis zu 1000 ampere, mit einer Frequenz von bis zu 500 Hz auf Stromkreisen mit Spannungen bis zu 1200 volt (12 klasse).
Thyristor-Module MT5-1000-12-D sind in einem Standard-Gehäuse D: Grundmaße 77x150 mm, Gehäusehöhe - 84 mm, Gewicht - 4.1 kg. Das Zwei-Positionen-Modul ist eine monolithische Konstruktion aus zwei Halbleiter-Thyristoren: Typ thyristor-thyristor. Anschlussplan des Moduls MT5-1000-12-D – gemeinsame Anode.
Serien (Leistungen) von Thyristor-Modulen: MT5-1000-10-D, MT5-1000-12-D.
- Hauptterminals befinden sich am oberen Rand des Gehäuses und sind nummeriert 1, 2, 3;
- Steuerterminals sind im Diagramm gekennzeichnet als G1, G2;
- Zusatzkathoden sind im Diagramm gekennzeichnet als K1, K2;
Die hohe thermische Zyklenfestigkeit und der zuverlässige Betrieb der Niederfrequenz-Thyristor-Module MT5-1000-12-D beim Schalten hoher Ströme wird durch ihre Konstruktionsmerkmale und die stabilen Parameter der galvanischen Isolierung erreicht.
Die Thyristor-Module MT5-1000-12-D haben ein Clamp-On-Design, das eine einfache Montage und einen guten Kontakt mit dem Kühler für die Wärmeableitung ermöglicht. Es können mehrere Module auf einem Kühler ohne zusätzliche Isolierung montiert werden, was die Gesamtabmessungen der Baugruppe erheblich reduziert. Zwischen dem Modul und dem Kühlkörper wird ein wärmeleitendes, mit Wärmeleitpaste geschmiertes Substrat empfohlen.
Die Zweistellermodule haben unterschiedliche Schaltpläne (Stromlaufpläne): MT3 – Halbbrücke; MT4 – Kollektivkathodenschaltung; MT5 – gemeinsame Anodenschaltung.
Unsere Module werden in verschiedenen Dual- und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Thyristor/Dioden-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Thyristor / Dioden-Module, falls erforderlich, bieten wir technischen Pass und Konformitätsbescheinigung.
Der Endpreis für Thyristor-/Dioden-Module hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des Thyristor-Thyristor-Moduls MT5-1000-12-D:
| Spezifikationen des Thyristor-Moduls | MT5-1000-12-D | |
| Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | IT(AV) (TC) | 1000 A (77ºC) 895 A (85ºC) |
| Repetitiv gepulste Sperrspannung; Repetitiv gepulste Ruhespannung | VRRM/VDRM | 1200 V |
| Stromspitzen im eingeschalteten Zustand | ITSM | 32 kA |
| Spitzenspannung im Ein-Zustand | VTM | 1.3 V |
| Spitzenstrom im Ein-Zustand | ITM | 3140 A |
| Schwellwertspannung | VT(TO) | 0.9 V |
| Steigungswiderstand im Zustand | rT | 0.15 mΩ |
| Abschaltzeit | tq | 200 µs |
| Temperatur an der Verbindungsstelle | Tj max | 125 ºC |
| Maximale Betriebstemperatur des Gehäuses | Tc max | 125 ºC |
| Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(j-c) | 0.05 ºC/W |
| Elektrische Isolationsfestigkeit | VISOL | 3 kV |
| Design (Schalter) | - | doppelte Komponente |
| Typ (Schaltplan) | - | thyristor-thyristor |
| Anschlussplan | - | gemeinsame Anode |
| Gewicht | W | 4.1 kg |
| Paket | - | D |
| Abmessungen, mm | L×B×H | 150x77x84 mm |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) von Thyristor-Thyristor-Modulen MT5-1000-12-D:
| MT | 5 | – | 1000 | – | 12 | – | A2 | – | P2 | – | D | – | N |
| MT | – | Thyristor-Modul,  AS ENERGITM |
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| 5 | – | Anschlussplan: 3 – Halbbrücke; 4 – Kollektivkathodenschaltung; 5 – gemeinsame Anodenschaltung. |
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| 1000 | – | Nennstrom IF(AV), A. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 12 | – | Spannungsklasse VRRM / 100 (Nennspannung – 1200 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2 | – | Parameter für die kritische Anstiegsrate der Spannung im Aus-Zustand (dVD/dt)cr:
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| P2 | – | Parameter der Ausschaltzeit tq:
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| D | – | Gehäuse-Typ. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N | – | Umgebungsbedingungen: N – Normal. |
Abmessungen von Thyristor-Leistungsmodulen MT5-1000-12-D:
Paket D
Anschlussplan Thyristor-Modul MT5-1000-12-D:
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1, 2, 3 – Hauptanschlüsse. |
Warum Sie sich für AS ENERGITM
- Eigene Produktionsanlagen, einschließlich der Produktion von Halbleitersiliziumchips
- Europäische Marke - 100% Qualität, günstiger Preis, kurze Produktionsfristen
- Über 20 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie
- Kunden aus mehr als 50 Ländern vertrauen uns
- 20000 Artikel in der Produktlinie Ströme von 10A bis 15000A, Spannungen von 100V bis 9000V
- Wir produzieren Analogen von Produkten anderer Hersteller
- Garantierte zertifizierte Qualität, Garantiezeit des Betriebs - 2 Jahre
Qualitätsgarantie
Unsere Produkte sind zertifiziert und entsprechen internationalen Standards.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Produkte von 2 Jahren.
Auf Wunsch des Kunden stellen wir Konformitätsbescheinigungen, Zuverlässigkeits berichte, Datenblätter und technische Pässe zur Verfügung.
Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
Wir liefern unsere Produkte in die ganze Welt mit den Diensten von Logistikunternehmen: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
