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AS ENERGIVBO72-08NO7 - Einphasige Diodenbrücke 70A 800V Ersatzteil IXYS
| IXYS Teilenummer | VBO72-08NO7 |
| Ausgangsgleichstrom, ID (TC) | 70A (110ºC) |
| Spannung, VRRM | 800V |
| Abmessungen L×B×H | 72x42x30 mm |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | A-VBO72-08NO7 |
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Einphasen-Diodenbrücke A-VBO72-08NO7AS ENERGITM ist ein Ersatz bzw. ein gleichwertiges, alternatives Halbleiterbauteil für Einphasen-Diodenbrücken VBO72-08NO7 IXYS. Ausgangsgleichstrom ID – 70 Ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM – 800V.
Wechselstrom wird an den Eingang "~" des Schaltkreises zugeführt. In jedem der Halbwellenperioden fließt der Eingangsstrom nur durch zwei Dioden. Infolgedessen erhalten wir am Ausgang "+" und "-" einen Strom, der mit der doppelten Frequenz des Eingangsstroms pulsiert.
Merkmale der Einphasen-Diodenbrücken: niedrige Einschaltverluste; hohe Sperrspannung und hohe Stromtragfähigkeit; quadratisches Kunststoffgehäuse mit isolierter Metallbasisplatte und Schnellanschlusssteckern; einfache Montage auf dem Gehäuse; hohe Einschaltströme. Ihre Hauptanwendungen sind: Gleichrichter für Netzteile; Eingangs-Gleichrichter für Frequenzumrichter; Gleichrichter für DC-Motorfeldversorgungen; Gleichrichter für Batterieladegeräte.
Einphasen-Diodenbrücken AS ENERGITM haben die folgenden Eigenschaften: Gehäuse im Industriestandard; geringe statische und dynamische Verluste, hohe Werte von VRRM/VRSM, umfangreiche Erfahrung im Einsatz der Geräte in verschiedenen Industrien.
Die technischen Spezifikationen und Parameter von VBO72-08NO7 und Ersatz A-VBO72-08NO7, Datenblatt PDF, Umrisszeichnung und Abmessungen sind unten aufgeführt.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Diodenbrücken von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei Lieferung von Diodenbrücken stellen wir auf Wunsch auch einen technischen Pass und ein Konformitätszertifikat zur Verfügung.
Der Endpreis für Einphasen-Diodenbrücken hängt von der Spannungsklasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Ursprungsland und der Zahlungsweise ab.
Allgemeine Spezifikationen des Einphasen-Diodenbrücken-Gleichrichters IXYS und Ersätze:
| Spezifikationen der Diodenbrücke | VBO72-08NO7 | |
| Direkter Ausgangsstrom (Gehäusetemperatur) | ID (TC) | 70 A (110ºC) |
| Max. wiederholte Spitzen-Sperrspannung | VRRM | 800 V |
| Spitzenstoßvorwärtsstrom | IFSM | 750 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 2.05 A2·s |
| Schwellenspannung | VF(T0) | 0.78 V |
| Vorwärtssteigungswiderstand | rF | 6 mΩ |
| Temperatur der p-n Übergangszone | Tvj max | 150 ºC |
| Thermischer Widerstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(j-c) | 0.9 K/W |
| Thermischer Widerstand, Gehäuse zu Kühlkörper | Rth(c-h) | 0.4 K/W |
| Montagedrehmoment auf Kühlkörper | MD ± 15% | 4.25 - 5.75 Nm |
| Gewicht | W | 153 g |
| Verpackung (Gehäuse) | Typ | PWS-D |
| Abmessungen | L×B×H | 72x42x30 mm |
| Ersatz AS ENERGITM | Typ | A-VBO72-08NO7 |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Teilenummerierung für Einphasen-Dioden-Brückengleichrichter:
| A | - | VBO | 72 | - | 08 | NO7 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| VBO | – | Produktgruppe: Einphasiger Diodenbrückengleichrichter. |
| 72 | – | Direkter Ausgangsstrom. |
| 08 | – | Spannungsklasse VRRM x 100. |
| NO7 | – | Teilenummer. |
Abmessungen der Diodenbrücke VBO72-08NO7 und des Ersatzes A-VBO72-08NO7:
PWS-D
Hochleistungs-Halbleiter AS ENERGITM
Unser Unternehmen beschäftigt sich mit der Herstellung und dem Verkauf einer breiten Palette von Leistungshalbleitern (Leistungsthyristoren, Module, Gleichrichterdioden, Avalanche-, Rotor- und Schweißdioden, Triacs usw.) mit Strömen bis zu 15000A und Spannungen bis zu 9000V, sowie Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Sie können Halbleiterbauelemente in beliebigen Mengen kaufen, und wenn Sie große Mengen bestellen, wird der Preis niedriger sein. Wir haben das Vertrauen der Kunden gewonnen und liefern Produkte in die ganze Welt.
Bei Fragen zum Erwerb von SCR-Thyristoren, Dioden, Modulen senden Sie eine E-Mail-Anfrage an:
Und wir unterbreiten Ihnen ein kommerzielles Angebot für die Lieferung.
Bei großen Stückzahlen erstellen wir einen individuellen Preis!!!
Wir sind offen für die Herstellung von Produkten in unseren Produktionsstätten nach Ihren Wünschen und technischen Aufgabenstellungen.
Warum Sie sich für AS ENERGITM
- Eigene Produktionsanlagen, einschließlich der Produktion von Halbleitersiliziumchips
- Europäische Marke - 100% Qualität, günstiger Preis, kurze Produktionsfristen
- Über 20 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie
- Kunden aus mehr als 50 Ländern vertrauen uns
- 20000 Artikel in der Produktlinie Ströme von 10A bis 15000A, Spannungen von 100V bis 9000V
- Wir produzieren Analogen von Produkten anderer Hersteller
- Garantierte zertifizierte Qualität, Garantiezeit des Betriebs - 2 Jahre
Qualitätsgarantie
Unsere Produkte sind zertifiziert und entsprechen internationalen Standards.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Produkte von 2 Jahren.
Auf Wunsch des Kunden stellen wir Konformitätsbescheinigungen, Zuverlässigkeits berichte, Datenblätter und technische Pässe zur Verfügung.
Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
Wir liefern unsere Produkte in die ganze Welt mit den Diensten von Logistikunternehmen: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
