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Pavlo GorkunDioden-Modul VS-VSKD196/04PBF (195A 400V) Vishay Ersatz
| Vishay-Teilenummer | VS-VSKD196/04PBF |
| Durchschnittlicher Durchlassstrom, IF(AV) (TC) | 195A (100ºC) |
| Spannung, VRRM | 400V |
| Paket, Abmessungen L×B×H | INT-A-PAK 94x35x37 mm |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | ASMDKD196/04PBF |
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Doppelter Diode Modul ASMDKD196/04PBF AS ENERGITM ist ein Ersatz, ein Analogon, eine Alternative und ein Äquivalent für das Diodenmodul VS-VSKD196/04PBF Vishay Semiconductors.
Durchschnittlicher Durchlassstrom IFAV – 195 ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM – 400V. Das Zweistellungs-Diodenmodul hat eine eine halbe Brücke Schaltkreis (gemeinsame Anode-Kathode).
Die Diodenmodule zeichnen sich durch eine hohe elektrische und thermische Belastbarkeit aus, was eine hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer in intensiven Betriebsmodi bedeutet. Die Diodenmodule sind in einem Industriestandard-Gehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Doppelter dioden Module werden in verschiedenen Leistungsgeräten eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, Leistungsregler, Wechselstromregler, Steuerung von Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochöfen oder chemischen Prozessen, Schweißgeräte und als Gleichrichter für Wechselstromumrichter.
Unsere Module werden in verschiedenen Doppel- und Einzelgerätetopologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Thyristor / Dioden-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Thyristor / Dioden-Module, falls erforderlich, bieten wir technischen Pass und Konformitätsbescheinigung.
Der Endpreis für Thyristor-/Dioden-Module hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen von Dioden Modul VS-VSKD196/04PBF Vishay und Ersatz:
| Spezifikationen des Diodenmoduls | VS-VSKD196/04PBF | |
| Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | IFAV (Tcase) | 195 A (100ºC) |
| Wiederholte gepulste Sperrspannung | VRRM | 400 V |
| Stromstöße | IFSM | 4750 A |
| Maximaler RMS-Einschaltstrom | IF(RMS) | 305 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 113 kA2·s |
| Schwellwertspannung | VT(TO) | 0.78 V |
| Spitzenspannung im Ein-Zustand | VFM | 1.38 V |
| Spitzenstrom im Ein-Zustand | IFM | 612 A |
| Steigungswiderstand | rT | 1.2 mΩ |
| Temperatur an der Verbindungsstelle | Tvj max | 150 ºC |
| Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(j-c) | 0.016 K/W |
| Design (Schalter) | - | вoppelter Komponente |
| Typ (Schaltplan) | - | Diode-Diode |
| Gewicht | W | 200 g |
| Paket, Abmessungen, mm | L×B×H | INT-A-PAK 94x35x37 mm |
| Ersatz AS ENERGITM | typ | ASMDKD196/04PBF |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für Diode-Diode Dioden-Module:
| AS | MD | KD | 196 | / | 04 | PBF |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| MD | – | Produktgruppe: Dioden-Modul. |
| KD | – | Schaltungstopologie: Verdopplungsschaltung mit zwei Dioden (Halbbrücke). |
| 196 | – | Durchschnittlicher Durchlassstrom: IF(AV) gerundet, Amp. |
| 04 | – | Spannung Code x 100 = VRRM. |
| PbF | – | Bleifrei (Pb). |
Abmessungen des Diodenmoduls VS-VSKD196/04PBF und Ersatz ASMDKD196/04PBF:
INT-A-PAK
Hochleistungshalbleiter von AS ENERGITM
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Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
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Logistik und Lieferung
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Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
