EN
IT
Pavlo GorkunMCO50-16IO1 Einzeln Thyristor-Modul (57A 1600V) IXYS Ersatz
| IXYS Teil Nummer | MCO50-16IO1 |
| Durchschnittlicher Durchlassstrom, IT(AV) | 57A |
| Spannung, VRRM | 1600V |
| Paket Abmessungen L×B×H |
SOT-227B 38x25x12 mm |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | ASMCO50-16-IO1 |
| Zum Warenkorb hinzufügen | on request
+
–
|
Thyristor Einzeln modul ASMCO50-16-IO1 AS ENERGITM ist ein analoger Ersatz für das diskrete Halbleiter Thyristor-Modul MCO50-16IO1 IXYS, auch bekannt als Littelfuse oder Westcode.
Durchschnittlicher Durchlassstrom ITAV – 57 ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM – 1600V. The internal electrical circuit of MCO50-16IO1 Module is a single thyristor.
Die Thyristor-Module zeichnen sich durch eine hohe elektrische und thermische Belastbarkeit aus, d.h. hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer in intensiven Betriebsmodi, geringer Leckstrom und Vorwärtsspannungsabfall. Die Diodenmodule sind in einem Industriestandard-Gehäuse untergebracht, das die Integration der Geräte in bestehende Anlagen erleichtert.
Duale Thyristor-Module werden in verschiedenen Leistungsgeräten eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, für ein- und dreiphasige Brückenkonfigurationen, Leistungsregler, Wechselstromregler, Steuerung von Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochöfen oder chemischen Prozessen, Schweißgeräte, für Wechselstromumrichter.
Unsere Module werden in verschiedenen Dual- und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für einzeln Thyristor-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von einzeln Thyristor-Module stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung zur Verfügung.
Der Endpreis für einzeln Thyristor-Module hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des einzeln Thyristor Module MCO50-16IO1 IXYS und Ersatz:
| Spezifikationen des Thyristor-Moduls | MCO50-16IO1 | |
| Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | ITAV | 57 A |
| Wiederholte gepulste Sperrspannung | VRRM | 1600 V |
| Stromstöße | IFSM | 740 A |
| Maximaler RMS-Einschaltstrom | IF(RMS) | 90 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 2.74 kA2·s |
| Schwellwertspannung | VT(TO) | 0.88 V |
| RMS-Strom | IRMS | 150 A |
| Steigungswiderstand | rT | 6.00 mΩ |
| Abschaltzeit | tq | 150 μs |
| Gate-Trigger-Spannung | VGT | 1.4 V |
| Gate-Trigger-Strom | IGT | 80 mA |
| Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(JC) | 0.72 K/W |
| Wärmewiderstand Gehäuse zu Kühlkörper | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| Design (Schalter) | - | einzeln Komponente |
| Typ (Schaltplan) | - | einzelner thyristor |
| Gewicht | W | 30 g |
| Paket Abmessungen, mm |
L×B×H | SOT-227B 38x25x12 mm |
| Anzugsmoment | MD | 1.1-1.5 Nm |
| Ersatz AS ENERGITM | type | ASMCO50-16-IO1 |
| Datenblatt | |
|
Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für Einzeln Thyristor Module ASMCO50-16-IO1:
| AS | M | CO | 50 | – | 16 | – | I | O | 1 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Produktgruppe: Diskrete Halbleitermodule. |
| CO | – | Schaltungstopologie: einzelner Thyristor. |
| 50 | – | Durchschnittlicher Nennstrom ITAV, A. |
| 16 | – | Spannung Code x 100 = VRRM. |
| I | – | Kritiker dv/dt 1000 V/μs. |
| O | – | Typische Ausschaltzeit. |
| 1 | – | Version Teilenummer. |
Abmessungen des einzeln Thyristor moduls MCO50-16IO1 und Ersatz ASMCO50-16-IO1:
SOT-227B
Hochleistungshalbleiter von AS ENERGI
Das Unternehmen stellt eine breite Palette von Leistungshalbleitern (Thyristoren, Dioden, Module) her.
Sie können bei uns Thyristor-Module in beliebiger Stückzahl kaufen, und wenn Sie große Mengen bestellen, wird der Preis niedriger sein.
Wir haben das Vertrauen unserer Kunden gewonnen und liefern unsere Produkte in die ganze Welt.
Bei Fragen zum Erwerb von SCR-Thyristoren, Dioden, Modulen senden Sie eine E-Mail-Anfrage an:
Und wir unterbreiten Ihnen ein kommerzielles Angebot für die Lieferung.
Bei großen Stückzahlen erstellen wir einen individuellen Preis!!!
Wir sind offen für die Herstellung von Produkten in unseren Produktionsstätten nach Ihren Wünschen und technischen Aufgabenstellungen.
Warum Sie sich für AS ENERGITM
- Eigene Produktionsanlagen, einschließlich der Produktion von Halbleitersiliziumchips
- Europäische Marke - 100% Qualität, günstiger Preis, kurze Produktionsfristen
- Über 20 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie
- Kunden aus mehr als 50 Ländern vertrauen uns
- 20000 Artikel in der Produktlinie Ströme von 10A bis 15000A, Spannungen von 100V bis 9000V
- Wir produzieren Analogen von Produkten anderer Hersteller
- Garantierte zertifizierte Qualität, Garantiezeit des Betriebs - 2 Jahre
Qualitätsgarantie
Unsere Produkte sind zertifiziert und entsprechen internationalen Standards.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Produkte von 2 Jahren.
Auf Wunsch des Kunden stellen wir Konformitätsbescheinigungen, Zuverlässigkeits berichte, Datenblätter und technische Pässe zur Verfügung.
Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
Wir liefern unsere Produkte in die ganze Welt mit den Diensten von Logistikunternehmen: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
