Thyristor / Dioden-Modul MT/D4-115-36-F (115A 3600V)
Durchschnittlicher Durchlassstrom, ITAV/IFAV | 115A |
Spannung, VRRM/VDRM | 3000 – 3600V |
Spannungscode, VRRM / 100 | 30 – 36 |
MT/D4-115-36-F | on request |
Gewicht | 0.35 kg |
Paket Abmessungen |
F 94x34x30 mm |
Datenblatt |
Thyristor-Dioden-Modul MT/D4-115-36-F AS ENERGITM in einer internationalen Standardverpackung, 115A 3600V.
Dient der Umwandlung von Gleich- und Wechselströmen bis zu 115 ampere, mit einer Frequenz von bis zu 500 Hz auf Stromkreisen mit Spannungen bis zu 3600 volt (36 klasse).
Die Thyristor-Dioden-Module MT/D4-115-36-F haben ein Standardgehäuse. F: Grundfläche 34x94 mm, Gehäusehöhe - 30 mm, Gewicht - 0.35 kg. Zwei-Positionen-Modul ist eine monolithische Konstruktion von zwei Halbleitern Thyristor und Diode: Typ Thyristor-Diode.
Die Bandbreite der Modulleistungen: MT/D4-115-30-F, MT/D4-115-32-F, MT/D4-115-34-F, MT/D4-115-36-F.
Die hohe thermische Zyklenfestigkeit und der zuverlässige Betrieb der Niederfrequenz-Thyristor-Dioden-Module MT/D4-115-36-F beim Schalten hoher Ströme wird durch ihre Konstruktionsmerkmale und die stabilen Parameter der galvanischen Isolierung erreicht.
Die Thyristor-Dioden-Module MT/D4-115-36-F haben ein Clamp-On-Design, das eine einfache Montage und einen guten Kontakt mit dem Kühler zur Wärmeableitung ermöglicht. Mehrere Module können ohne zusätzliche Isolierung auf einem Kühler montiert werden, was die Gesamtabmessungen der Baugruppe erheblich reduziert. Zwischen dem Modul und dem Kühlkörper wird ein wärmeleitendes, mit Wärmeleitpaste geschmiertes Substrat empfohlen.
Unsere Module werden in verschiedenen Dual- und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Thyristor/Dioden-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Thyristor / Dioden-Module, falls erforderlich, bieten wir technischen Pass und Konformitätsbescheinigung.
Der Endpreis für Thyristor-/Dioden-Module hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des Thyristor-Dioden-Moduls MT/D4-115-36-F:
Thyristor-Dioden-Modul Spezifikationen | MT/D4-115-36-F | |
Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | IT(AV) (TC) | 115 А (85ºC) |
Repetitiv gepulste Sperrspannung; Repetitiv gepulste Ruhespannung | VRRM/VDRM | 3000-3600 V |
Stromspitzen im eingeschalteten Zustand | ITSM | 2.5 kA |
Spitzenspannung im Ein-Zustand | VTM | 2.45 V |
Spitzenstrom im Ein-Zustand | ITM | 500 A |
Schwellwertspannung | VT(TO) | 0.95 V |
Steigungswiderstand im Zustand | rT | 3.000 mΩ |
Abschaltzeit | tq | 400 µs |
Temperatur an der Verbindungsstelle | Tj max | 125 ºC |
Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(j-c) | 0.1900 ºC/W |
Design (Schalter) | - | dual component |
Typ (Schaltplan) | - | thyristor-diode |
Gewicht | W | 0.35 kg |
Paket | - | F |
Abmessungen, mm | L×B×H | 94x34x30 mm |
Datenblatt |
Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) von Thyristor-Dioden-Modulen MT/D4-115-36-F:
MT/D | 4 | – | 115 | – | 36 | – | A2 | – | H2 | – | F | – | N |
MT/D | – | Reihe von Thyristor-Dioden-Modulen, AS ENERGITM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3 | – | Anschlussplan. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
115 | – | Nennstrom IT(AV), A. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
36 | – | Spannungsklasse VRRM / 100 (Nennspannung – 3600 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
A2 | – | Parameter für die kritische Anstiegsrate der Spannung im Aus-Zustand (dVD/dt)cr:
|
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H2 | – | Parameter der Ausschaltzeit tq:
|
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F | – | Gehäuse-Typ. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
N | – | Umgebungsbedingungen: N – Normal. |
Alle Teilenummern der MT/D4-115 Module:
Series | ITAV, A | VRRM, V |
MT/D4-115-30-F | 115 A | 3000 V |
MT/D4-115-32-F | 115 A | 3200 V |
MT/D4-115-34-F | 115 A | 3400 V |
MT/D4-115-36-F | 115 A | 3600 V |
Abmessungen von Thyristor-Dioden-Leistungsmodulen MT/D4-115-36-F:
Hochleistungs-Halbleiter AS ENERGITM
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Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
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Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
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AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte: