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Pavlo GorkunMCD501-18IO2 Thyristor-Dioden-Modul (503A 1800V) IXYS-Ersatz
| IXYS Teil Nummer | MCD501-18IO2 |
| Durchschnittlicher Durchlassstrom, IT(AV) | 503A |
| Spannung, VRRM | 1800V |
| Paket Abmessungen L×B×H |
W74 149x60x48 mm |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | ASMCD501-18-IO2 |
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Thyristor-Dioden-Modul ASMCD501-18-IO2 AS ENERGITM ist ein Ersatz, analog, alternativ und für diskrete Halbleiter Thyristor-Dioden-Modul MCD501-18IO2 IXYS, auch bekannt als Littelfuse oder Westcode.
Durchschnittlicher Durchlassstrom ITAV – 503 ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM – 1800V. Die Hauptanschlüsse (Strom) befinden sich auf der Oberseite des Gehäuses und sind mit 1, 2, 3 (gemeinsame Anode-Kathode, Kathode, Anode) gekennzeichnet.
Die Thyristor-Dioden-Module zeichnen sich durch eine hohe elektrische und thermische Belastbarkeit aus, d.h. hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer in intensiven Betriebsmodi, geringer Leckstrom und Vorwärtsspannungsabfall. Die Thyristor-Dioden-Module sind in einem Industriestandard-Gehäuse untergebracht, das die Integration der Geräte in bestehende Anlagen erleichtert.
Duale Thyristor-Dioden-Module werden in verschiedenen Energieausrüstungen eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, für ein- und dreiphasige Brückenkonfigurationen, Leistungsregler, Wechselstromregler, Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochöfen oder chemischen Prozessen, Schweißgeräte, für Wechselstromumrichter.
Unsere Module werden in verschiedenen Dual und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Thyristor-Dioden-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von dualen Thyristor-Dioden-Modulen stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung zur Verfügung.
Der Endpreis für Thyristor-Dioden-Module hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des Thyristor-Dioden-Moduls MCD501-18IO2 IXYS und Ersatz:
| Spezifikationen des Thyristor-Moduls | MCD501-18IO2 | |
| Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | ITAV | 503 A |
| Wiederholte gepulste Sperrspannung | VRRM | 1800 V |
| Stromstöße | ITSM | 14500 A |
| Maximaler RMS-Einschaltstrom | IT(RMS) | 1195 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 1050.0 kA2·s |
| Schwellwertspannung | VT(TO) | 0.85 V |
| RMS-Strom | IRMS | - |
| Steigungswiderstand | rT | 0.30 mΩ |
| Abschaltzeit | tq | 200 μs |
| Gate-Trigger-Spannung | VGT | 2.5 V |
| Gate-Trigger-Strom | IGT | 250 mA |
| Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | Rth(JC) | 0.062 K/W |
| Wärmewiderstand Gehäuse zu Kühlkörper | Rth(CH) | 0.02 K/W |
| Design (Schalter) | - | doppelte Komponente |
| Typ (Schaltplan) | - | thyristor-diode |
| Gewicht | W | 1500 g |
| Paket Abmessungen, mm |
L×B×H | W74 149x60x48 mm |
| Anzugsmoment | MD | 2.5-4 Nm |
| Ersatz AS ENERGITM | type | ASMCD501-18-IO2 |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für Thyristor-Dioden-Module ASMCD501-18-IO2:
| AS | M | CD | 501 | – | 18 | – | I | O | 2 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Produktgruppe: Diskrete Halbleiter-Module. |
| CD | – | Schaltungstopologie: Thyristor-Diode. |
| 501 | – | Durchschnittlicher Nennstrom ITAV, A. |
| 18 | – | Spannung Code x 100 = VRRM. |
| I | – | Kritiker dv/dt 1000 V/μs. |
| O | – | Typische Ausschaltzeit. |
| 2 | – | Version Teilenummer. |
Abmessungen des Moduls MCD501-18IO2 und Ersatz ASMCD501-18-IO2:
W74
Hochleistungshalbleiter von AS ENERGI
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Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
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AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
