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AS ENERGILeistungs-Gleichrichter-Diodenmodul MDA55-12 (55A 1200V), MDA55-12-215F3
| Durchschnittlicher Vorwärtsstrom, ITAV/IFAV (Tcase) | 55A (100ºC) |
| Spannung, VRRM/VDRM | 1200V |
| Spannungsklasse, VRRM / 100 | 12 |
| MDA55-12 | on request
+
–
|
| Gewicht | 115 g |
| Gehäuse Abmessungen L×B×H |
215F3 92x20x30 mm |
| Datenblatt |  |
Dual-Dioden-Gleichrichtermodul MDA 55-12 AS ENERGITM in einem internationalen Standardgehäuse, 55A 1200V.
Die Diodenmodule MDA55-12-215F3 zeichnen sich durch hohe elektrische und thermische Zyklusbeständigkeit aus, was eine hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer bei intensiven Betriebsarten bedeutet. Die Diodenmodule sind in einem industrieüblichen Gehäuse untergebracht, was die Integration des Geräts in vorhandene Anlagen erleichtert.
Die Zweipositionen-Module haben unterschiedliche Schaltkreise (elektrische Schaltpläne): МDC – Halbbrücke; МDK – Schaltung mit gemeinsamer Kathode; МDA – Schaltung mit gemeinsamer Anode.
Serien (Nennwerte) von Diodenmodulen: MDA55-12 (55A 1200V).
Die Haupt-(Leistungs-)Anschlüsse befinden sich oben am Gehäuse und sind mit 1, 2, 3 gekennzeichnet (gemeinsame Anode-Anode, Kathode, Kathode).
Doppeldiodenmodule der MDA-Serie werden in verschiedenen Leistungseinrichtungen eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, Leistungsregler, Wechselstromregler, Steuerungen für Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen für Hochöfen oder chemische Prozesse, Schweißgeräte und als Gleichrichter für Wechselrichter.
Unsere Module sind in mehreren Doppel- und Einzel-Topologien für nahezu alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen erhältlich.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Thyristor-/Diodenmodule von 2 Jahren ab Kaufdatum. Beim Lieferumfang der Thyristor / Diodenmodule legen wir bei Bedarf technischen Pass und Konformitätszertifikat bei.
Der Endpreis für Thyristor-/Diodenmodule hängt von der Klasse, Menge, Lieferbedingungen, Hersteller, Herkunftsland und Zahlungsweise ab.
Allgemeine Spezifikationen des Dioden-Dioden-Moduls MDA55-12, MDA55-12-215F3:
| Spezifikationen des Diodenmoduls | MDA55-12 | |
| Maximal zulässiger mittlerer Vorwärtsstrom (Gehäusetemperatur) | ITAV/IFAV (Tcase) | 55 A (100ºC) |
| Wiederholte Impuls-Sperrspannung; Wiederholte Impuls-Durchlassspannung | VRRM/VDRM | undefined V |
| Stoß-Durchlassstrom | ITSM/IFSM | 1.30 A |
| Sicherheitsfaktor | I2t | 8.45 kA2·s |
| Schwellenspannung | VT(TO) | 0.80 V |
| Wiederholter Pulsstrom im geschlossenen Zustand; wiederholter Puls-Rückstrom | IDRM/IRRM | 8 mA |
| Durchlassimpulsspannung | VTM | 1.45 V |
| Durchlassimpulsstrom | ITM | 170 A |
| Durchlass-Steigungswiderstand | rT | 3.47 mΩ |
| Sperrschichttemperatur | Tvj max | 125 ºC |
| Thermischer Widerstand, Sperrschicht zu Gehäuse | Rth(j-c) | 0.700 ºC/W |
| Aufbau (Schalter) | - | Doppelkomponente |
| Typ (Schaltplan) | - | diode-diode |
| Gewicht | W | 115 g |
| Gehäuse (Housing) | typ | 215F3 |
| Abmessungen, mm | L×B×H | 92x20x30 mm |
| Datenblatt | |
|
Teilenummernleitfaden für Dioden–Dioden-Module MDA:
| MD | A | 55 | – | 12 | – | 215F3 |
| MD | – | Diodenmodul,  AS ENERGITM |
| A | – | Schaltungstopologie: gemeinsame Anode-Anode. |
| 55 | – | Nennstrom (ITAV), A. |
| 12 | – | Spannungsklasse (VRRM/100). |
| 215F3 | – | Gehäusetyp. |
Abmessungen des Diodenmoduls MDA55-12, MDA55-12-215F3:
Schaltplan der Diodenmodule MDA:
|
|
1 (АA), 2 (К), 3 (K) – Haupt-(Leistungs-)Anschlüsse. |
Technischer Pass für Diodenmodule MDA (Muster):
Bei Lieferung der Dioden stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und ein Konformitätszertifikat zur Verfügung.
Leistungshalbleiter von AS ENERGI
Das Unternehmen fertigt eine breite Palette von Leistungshalbleitern (Thyristoren, Dioden, Module).
Sie können bei uns Thyristormodule in beliebigen Mengen erwerben, und bei Großbestellungen ist der Preis niedriger.
Wir haben das Vertrauen der Kunden gewonnen und beliefern Kunden weltweit.
Bei Fragen zum Erwerb von Leistungsmodulen, Dioden, Thyristoren senden Sie bitte eine Anfrage per E-Mail an:
Und wir unterbreiten Ihnen ein kommerzielles Angebot für die Lieferung.
Bei größeren Stückzahlen erhalten Sie einen individuellen Preis!!!
Wir sind offen für die Herstellung von Produkten in unseren Produktionsstätten nach Ihren Wünschen und technischen Aufgabenstellungen.
Warum Sie sich für AS ENERGITM
- Eigene Produktionsanlagen, einschließlich der Produktion von Halbleitersiliziumchips
- Europäische Marke - 100% Qualität, günstiger Preis, kurze Produktionsfristen
- Über 20 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie
- Kunden aus mehr als 50 Ländern vertrauen uns
- 20000 Artikel in der Produktlinie Ströme von 10A bis 15000A, Spannungen von 100V bis 9000V
- Wir produzieren Analogen von Produkten anderer Hersteller
- Garantierte zertifizierte Qualität, Garantiezeit des Betriebs - 2 Jahre
Qualitätsgarantie
Unsere Produkte sind zertifiziert und entsprechen internationalen Standards.
Unser Unternehmen gewährt eine Qualitätsgarantie für Produkte von 2 Jahren.
Auf Wunsch des Kunden stellen wir Konformitätsbescheinigungen, Zuverlässigkeits berichte, Datenblätter und technische Pässe zur Verfügung.
Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
Das Unternehmen AS ENERGITM fertigt und liefert Leistungshalbleiter in mehr als 50 Länder auf der ganzen Welt.
Logistik und Lieferung
Wir liefern unsere Produkte in die ganze Welt mit den Diensten von Logistikunternehmen: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Die Lieferung der Produkte kann mit allen Transportmitteln erfolgen: Luft, See, Schiene und Straße.
AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
