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Pavlo GorkunDioden-Modul DD180N22S (180A 2200V) Infineon-Ersatz
| Infineon Teilenummer | DD180N22S |
| Durchschnittlicher Durchlassstrom, IF(AV)M (TC) | 174А (100ºC) |
| Spannung, VRRM | 2200V |
| Paket, Abmessungen L×B×H | DS34-2 94x34x30 |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | AMDD180N22S |
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Doppel-Dioden-Modul AMDD180N22S AS ENERGITM ist ein Ersatz, analog, alternativ und gleichwertig für das Dioden-Modul DD180N22S von Infineon Technologies. Durchschnittlicher Vorwärtsstrom IFAV – 180 ampere, wiederholte Spitzensperrspannung VRRM – 2200V. Grundplatte 34x94 mm.
Die Hauptanschlüsse (Strom) befinden sich auf der Oberseite des Gehäuses und sind wie folgt gekennzeichnet 1, 2, 3 (gemeinsame anode-kathode, kathode, anode).
Die Zweistellungs-Diodenmodule haben eine Halbbrücke Schaltkreis (gemeinsame anode-kathode).
Die Dioden-Module zeichnen sich durch eine hohe elektrische und thermische Belastbarkeit aus, was eine hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer in intensiven Betriebsmodi bedeutet. Die Dioden-Module sind in einem Industriestandard-Gehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Gleichrichterdioden-Module werden in verschiedenen Leistungsgeräten eingesetzt - Leistungs- und Steuereinheiten, Leistungsregler, Wechselstromregler, Steuerung von Gleichstrommotoren, Sanftanlasser für Wechselstrommotoren, Umrichter, Steuerungen von Hochöfen oder chemischen Prozessen, Schweißgeräte und als Gleichrichter für Wechselstromumrichter.
Unsere Module werden in verschiedenen Dual- und Single-Device-Topologien für fast alle Phasensteuerungs- oder Gleichrichteranwendungen angeboten.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für Thyristor-/Diodenmodule von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von Thyristor / Dioden-Module, wenn nötig, bieten wir technischen Pass und Konformitätsbescheinigung.
Der Endpreis für Thyristor/Dioden-Module hängt von der Klasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des Dioden-Moduls DD180N22S Infineon und Ersatz:
| Spezifikationen des Dioden-Moduls | DD180N22S | |
| Maximal zulässiger durchschnittlicher Durchlassstrom (Gehäusetemperatur) | IFAV (Tcase) | 174 A (100ºC) |
| Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung | VRRM | 2200 V |
| Stoßstrom-Grenzwert | IFSM | 5000 A |
| Grenzlastintegral | I2t | 125.00 kA2·s |
| Schleusenspannung | VT(TO) | 0.85 V |
| Ersatzwiderstand | rT | 0.95 mΩ |
| Höchstzulässige Sperrschichttemperatur | Tvj max | 135 ºC |
| Innerer Wärmewiderstand | Rth(j-c) | 0.16 K/W |
| Design (Schalter) | - | doppelte komponente |
| Typ (Schaltplan) | - | diode-diode |
| Gewicht | W | 0.165 kg |
| Paket, Abmessungen, mm | L×B×H | DS34-2 94x34x30 |
| Ersatz AS ENERGITM | typ | AMDD180N22S |
| Datenblatt | |
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Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für Dioden-Module:
| A | M | DD | 180 | N | 22 | S |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Produktgruppe: Modul. |
| DD | – | Schaltungstopologie: Diode-Diode. |
| 180 | – | Durchschnittlicher Durchlassstrom IF(AV), Amp. |
| N | – | Gleichrichtergerät. |
| 22 | – | Spannungsklasse VRRM / 100. |
| S | – | Mechanische Konstruktion: K – Druckkontakttechnik S – Löttechnik |
Schaltplan für Diodenmodule:
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AK, K, A (1, 2, 3) – Hauptanschlüsse (Leistung). |
Hochleistungs-Halbleiter by AS ENERGI
Das Unternehmen stellt eine breite Palette von Leistungshalbleitern (Thyristoren, Dioden, Module) her.
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Jedes Produkt wird auf die Hauptparameter getestet und Testberichte der Parameter für jedes Produkt werden bereitgestellt.
Geografie der Partnerschaft
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Logistik und Lieferung
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AS ENERGITM Semiconductors Manufakturen
Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
