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AS ENERGIIGBT Modul FF200R12KS4P (200A 1200V) Infineon Ersatz
| Infineon Teilenummer | FF200R12KS4P |
| Nennstrom des Kollektors, ICnom | 200А |
| Kollektor-Emitter-Spannung, VCES | 1200V |
| Paket Abmessungen L×B×H |
62 mm 106x61x30 mm |
| Datenblatt |  |
| Ersatz AS ENERGITM | AMFF200R12KS4P |
| Zum Warenkorb hinzufügen | on request
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IGBT-Modul AMFF200R12KS4P AS ENERGITM is ein Ersatz, analog, alternativ und gleichwertig für IGBT-Modul FF200R12KS4P Infineon. Kontinuierlicher Kollektorstrom IC – 200 ampere, Kollektor-Emitter-Spannung VCES – 1200V.
Die IGBT-Module sind in einem Standard-Industriegehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert.
Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für Motoren, Wechselrichterantrieben, USV, elektronischen Schweißgeräten, Bremschoppern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und anderen eingesetzt. Zu den verfügbaren Topologien gehören Halbbrücke, Einzelschalter, Sixpack, 3-Level und viele andere, die jeden Anwendungsbereich abdecken.
Das IGBT-Leistungsmodul wird immer mehr zum bevorzugten Bauelement für Hochleistungsanwendungen, da es die Schaltleistung, die Temperatur, das Gewicht und die Kosten verbessern kann.
Die technischen Daten der IGBT-Module FF200R12KS4P und AMFF200R12KS4P, das pdf-Datenblatt, die Topologie der internen Verbindung, die Umrisszeichnung und die Abmessungen sind unten aufgeführt.
Unser Unternehmen bietet eine Qualitätsgarantie für IGBT-Module von 2 Jahren ab dem Kaufdatum. Bei der Lieferung von IGBT-Modulen stellen wir bei Bedarf einen technischen Pass und eine Konformitätsbescheinigung zur Verfügung.
Der Endpreis von IGBT-Modulen hängt von der Spannungsklasse, der Menge, den Lieferbedingungen, dem Hersteller, dem Herkunftsland und der Zahlungsart ab.
Allgemeine Spezifikationen des IGBT-Moduls FF200R12KS4P Infineon und Ersatz AMFF200R12KS4P:
| Spezifikationen für IGBT-Module | FF200R12KS4P | |
| IGBT | ||
| Kontinuierlicher Kollektorstrom | IC | 200 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 1200 V |
| Induktive Last | RG | 4.7 Ω |
| Interner Gate-Widerstand | RGint | 2.5 Ω |
| Energiedissipation beim Einschalten | Eon | 19 mJ |
| Energiedissipation beim Ausschalten | Eoff | 12 mJ |
| Diode | ||
| Kontinuierlicher DC-Vorwärtsstrom | IF | 200 A |
| Durchlassspannung (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.4 V |
| Wärmedurchgangswiderstand, Übergang zum Gehäuse | RthJC | - |
| Wärmewiderstand, Gehäuse zu Kühlkörper | RthCH | - |
| Wärmewiderstand, Übergang zum Kühlkörper | RthJH | 0.18 K/W |
| Temperatur unter Schaltbedingungen | Tvj | 125 °C |
| Modul | ||
| Schaltungstopologie | - | |
| Gewicht | W | 340 g |
| Zeichnung, Verpackung, Abmessungen, mm | L×B×H | 62 mm 106x61x30 mm |
| Ersatz AS ENERGITM | typ | AMFF200R12KS4P |
| Datenblatt | |
|
Leitfaden zur Nummerierung der Serien (Typen) für IGBT-Module AMFF200R12KS4P:
| A | M | FF | 200 | R | 12 | KS4P |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Halbleiter-Typ: IGBT-Modul. |
| FF | – | Modul Topologie. |
| 200 | – | Aktuelle Bewertung, Amp. |
| R | – | Funktionsweise. |
| 12 | – | Kollektor-Emitter-Spannungsklasse VCES / 100. |
| KS4P | – | Konstruktionsvariante. |
Abmessungen des IGBT-Moduls FF200R12KS4P und Ersatz AMFF200R12KS4P:
62 mm
Schaltplan eines IGBT-Moduls FF200R12KS4P und Ersatz AMFF200R12KS4P:
Topologie
Hochleistungshalbleiter von AS ENERGI
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Qualitätsgarantie
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Geografie der Partnerschaft
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Unsere Produktpalette umfasst Gleichrichterdioden, Phasensteuerthyristoren in Scheiben- und Bolzen Bauweise, Avalanche-Dioden und Thyristoren, schnell schaltende, Hochfrequenz-Thyristoren, schnelle Erholungs-, Schweiß- und Rotordioden, Triacs, Brückengleichrichter, Leistungsmodule (Thyristor, Diode, Thyristordiode, IGBT) und Luft- und Wasserkühlkörper dazu.
Leistungsdioden und Thyristoren werden für Ströme von 10A bis 15000A, Spannungsbereich von 100V bis 9000V hergestellt.
Leistungsdioden- und Thyristormodule werden von 25A bis 1250A, Spannungsbereich 400V - 4400V produziert.
Das Angebot an Leistungshalbleitern umfasst auch gleichwertige, Ersatz-, analoge und alternative Halbleiterbauelemente globaler Hersteller.
Ausgewählte Produkte:
